SUNTECH POWER ULTRA V MINI STP400S-B60/WNH – 400 W MONOKRISTALLINES PHOTOVOLTAIKMODUL -Art. STP400S-B60/WNH

Artikel-Nr.: STP400S-B60/WNH

SUNTECH POWER ULTRA V MINI STP400S-B60/WNH – 400 W MONOKRISTALLINES PHOTOVOLTAIKMODUL -Art. STP400S-B60/WNH

SUNTECH POWER ULTRA V MINI STP400S-B60/WNH – 400 W MONOKRISTALLINES PHOTOVOLTAIKMODUL -Art. STP400S-B60/WNH

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Technische Daten

Suntech Power Ultra V Mini STP400S-B60/WNH – 400W monokristallines Photovoltaikmodul

182 mm Silizium-Wafer im Großformat mit einem Modul-Wirkungsgrad von bis zu 21,3 %.
Das Suntech Ultra V-Modul verwendet einen 182 mm Silizium-Wafer. Diese Vergrößerung des Wafers optimiert das Layout erheblich und verringert die ungenutzte Fläche zur Stromerzeugung.

 

Verbessern Sie die Energiedichte des Moduls mit hochdichter Gehäusetechnologie.
Suntech verwendet für das Ultra-V-Modul hochdichte Gehäusetechnologie, die den Abstand zwischen den Zellen verkürzen, den ungültigen Bereich zur Stromerzeugung stark verringern und die Energiedichte des Moduls verbessern kann.
Durch die Verwendung spezieller flexibler Schweißstreifen kann die Zuverlässigkeit des Schweißvorgangs zwischen den Zellen sichergestellt und so der Produktertrag effektiv verbessert werden.

Leichter und dünner, Gewichtsreduzierung von über 15 %.
Suntech verfügt über ein besonders optimiertes Strukturdesign und besitzt das exklusive Patent darauf. Das Modul wiegt 24,4 kg, 15 % weniger als Produkte mit denselben Spezifikationen.
Durch die Verwendung von 2,5 mm starkem, voll gehärtetem Glas in Kombination mit einem speziell optimierten Modulstrukturdesign wird die mechanische Belastbarkeit deutlich verbessert. Bei einer Belastung von +5400/-2400 Pa verringert sich die maximale Spannung der Modulstruktur im Vergleich zum herkömmlichen Strukturdesign um 23 %, die maximale Verformung verringert sich um 37 %, wodurch die Gefahr von Leckagen aufgrund von Mikrorissen vermieden wird.

Mit der MBB- und Halbzellentechnologie übersteigt die maximale Leistung 590 W+
. Das Suntech Ultra V-Modul verwendet die Multi-Busbar-Technologie. Mehrere Zellsammelschienen verkürzen den Querstromausbreitungsweg um 50 %, verringern wirksam den internen Verlust und verbessern die Modulleistung.
Durch das Halbzellendesign kann der Leistungsverlust durch Beschattung wirksam reduziert werden. Das optimierte Schaltungsdesign ermöglicht nicht nur eine maximale Ausgangsleistung, sondern gewährleistet auch die Zuverlässigkeit der Module über einen längeren Zeitraum.

Niedrigere Kosten, höherer ROI:
Ultra V-Großformatprodukte senken die Kosten des silikonfreien Teils während der Herstellung und steigern so die Rentabilität jedes Fertigungssektors. Darüber hinaus verringern Ultra V-Produkte beim Aufbau großer Systeme die Systemkosten pro Watt und sorgen für zusätzliche Gewinne, die letztlich den Kunden durch höhere Umsätze zugute kommen.

Technische Daten STP400S-B60/WNH
Nennleistung Pmax (Wp) 400
Maximale Systemspannung (V) 1.500
Leistungstoleranz 5,00
Leerlaufspannung (Uoc) 37,04
Nennstrom Impp (A) 12,83
Nennspannung Umpp (V) 31.18
Kurzschlussstrom Isc (A) 13,73
Temperaturkoeffizient Pmpp (%/K) -0,36
Temperaturkoeffizient Uoc (%/K) -0,304
Temperaturkoeffizient Isc (%/K) 0,050
Maße  
Höhe (mm) 35
Breite (mm) 1.134
Länge (mm) 1.724
Gewicht (kg) 22.1
Garantie  
Produktgarantie (Jahre) 15
Leistungsgarantie (Jahre) 25

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