Suntech Solarmodul Bifacial Ultra-V STPxxxM72BF
Teilen via
- Auf Lager
Technische Daten
Suntech Solarmodul Bifacial Ultra-V STPxxxM72BF
Technische Daten
Suntech STPxxxM72BF
STPxxxS - C72/Pmh + Ultra v
Halbzellen-Bifacial-Modul
mit 144 Halbzellen-Solarmodulen
mit 144 Halbzellen-Solarmodulen
Mit MC4 kompatible Steckverbinder
Produktgarantie : 12 Jahre Lineare Leistung : 30 Jahre*
Produktgarantie : 12 Jahre Lineare Leistung : 30 Jahre*
- Großformatige 182-mm-Siliziumwafer mit einem Modulwirkungsgrad von bis zu 21,3 %
Das Suntech Ultra V-Modul verwendet einen 182-mm-Siliziumwafer, erhöht die Wafergröße, optimiert das Layout grundlegend und verringert den ungültigen Stromerzeugungsbereich.
- Verbessern Sie die Energiedichte des Moduls mit High-Density-Zellverbindungstechnologie
High-Density-Zellverbindungstechnologie auf Ultra-V-Modul, die den Abstand zwischen den Zellen verkürzen und den ungültigen Stromerzeugungsbereich stark verringern und die Energiedichte des Moduls verbessern kann.
Die Verwendung von flexiblem Spezialschweißband kann die Zuverlässigkeit des Schweißprozesses zwischen den Zellen größtenteils gewährleisten, um die Ausbeute des Produkts effektiv zu verbessern.
- Leichter und dünner, mehr als 11 % Gewichtsreduzierung
Suntech hat das Strukturdesign besonders optimiert und besitzt das exklusive Patent. Das Modul wiegt 29,1 kg, 11 % weniger als die Produkte der gleichen Spezifikation.
Durch die Verwendung von 2,0 mm starkem, vollständig gehärtetem Glas in Kombination mit dem speziell optimierten Modulstrukturdesign wird die mechanische Belastbarkeit erheblich verbessert. Wenn die Belastung +5400 / -2400 Pa erreicht, wird die maximale Spannung der Modulstruktur im Vergleich zu herkömmlichen Strukturkonstruktionen um 23 % reduziert, die maximale Verformung um 37 % reduziert und dann das Risiko von Mikrorissverlusten vermieden.
- Mit MBB- und Half-Cell-Technologie durchbricht die maximale Leistung 590 W+
Das Suntech Ultra V-Modul nutzt die Multi-Busbar-Technologie. Mehr Busbars der Zelle verringern den aktuellen Querausbreitungspfad um 50 %, reduzieren effektiv den internen Verlust und verbessern die Modulleistung.
Das Half-Cut-Zelldesign kann den Leistungsverlust durch den Schatten effektiv verringern. Das optimierte Schaltungsdesign realisiert nicht nur die maximale Ausgangsleistung, sondern gewährleistet auch die Zuverlässigkeit der Module.
-Niedrigere Kosten, höherer ROI
Die großformatigen Ultra V-Produkte senken die Nicht-Silizium-Kosten während der Produktion und erhöhen so den Gewinn jedes Produktionssektors. Ultra-V-Produkte senken auch die Systemkosten/Watt beim Kraftwerksbau und bringen zusätzlichen Gewinn für Module, schließlich profitieren die Kunden davon mehr.
